하이닉스반도체, R&D로 수익성 1위 탈환

최고 수준의 경쟁력 있는 기술개발 집중

하이닉스반도체는 올해는 수익성 1위를 탈환하기 위해 R&D 역량을 더욱 강화해 최고 수준의 경쟁력 있는 기술개발에 집중할 방침이라고 10일 밝혔다.

이를 위해 하이닉스는 경쟁우위의 기술개발과 지속성장을 위한 미래기술을 확보하는 한편, 고효율 저비용 구현을 위한 업무혁신과 창조적 연구역량을 강화한다.

또 기술경쟁력에서 우위를 확보하기 위해 D램의 경우 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 증가시키고, 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 방침이다.

특히 신제품의 공정증가율 최소화와 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2분기에 개발해 3분기부터 양산할 예정이다. 44나노 1Gb DDR3 제품도 올해 개발에 착수해 내년 상반기에 완료할 계획이다.

낸드 플래시의 경우 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 연구개발의 효율성을 증대하고 적기에 제품을 개발할 예정이다.

이에 따라 업계 최초로 40나노급 공정인 48나노 제품을 1분기에 개발해 2분기부터 양산체제에 들어가며 41나노 제품도 연말에 개발할 방침이다.

차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시할 계획이다.

이와 함께 DDR3 서버 시장 선점, 그래픽스 D램 제품의 주요 고객 인증 획득, 모바일 D램의 고객 확대 등 고부가가치 제품의 비중도 50% 이상으로 확대해 수익성을 더욱 제고할 방침이다.

하이닉스 관계자는 “지난해 매출액 대비 6%이던 연구개발 투자를 올해는 8% 수준, 2009년에는 10%까지로 늘려 미래기술과 경쟁력 강화에 힘쓰겠다”고 말했다.


/ 김동석 기자 [e-mail]