하이닉스, 세계 최초 2기가 모바일 D램 개발

54나노 2Gb 모바일 D램.

하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 멀티 칩 패키지와 패키지 온 패키지 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중, 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.

전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다. 또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능해 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있다.

이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해, 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.

내년 상반기부터 양산될 예정인 이번 제품은 차세대 애플리케이션 지원이 가능해 고용량화·저전력화·고속화·소형화로 급변하고 있는 모바일 시장에 적합하고 국제반도체표준협의 기구(JEDEC)규격도 만족시키고 있다.

한편 하이닉스는 향후에도 기술경쟁력을 기반으로 제품 포트폴리오의 다양화를 통해 회사의 경쟁력을 한층 더 확고히 하고, 아이서플라이 기준 현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말까지 20%로 확대해 수익성을 더욱 제고할 계획이다.

/ 인진연 기자 [e-mail]